高速電磁弁

I_f 燃料ガス注入口

I_b 背圧用ガス注入口

P 隔壁膜

D ディスク弁

S O リング

C パルスコイル

R_f 燃料ガス溜め

R_b 背圧用ガス溜め

 

燃料ガスは燃料ガス溜め R_f に通常 2.4 atm 詰めてある（プレナム）。背圧用ガスは背圧用ガス溜め R_b に通常 32atm 詰めてあり、隔壁膜 P により燃料ガスと混合しないようになっている。燃料ガスはパルスコイル C に通電したときのみ金属製ディスク弁 D が押し下げられ、D と O リング S との間の隙間から真空チャンバー内に導入される。C に通電されていないときには D は背圧用ガス溜のガス圧によって S に押しつけられており、燃料ガスは導入されない。従って背圧用ガス圧は常にプレナム圧よりも大きくなければならない。背圧がプレナム圧より小さくなるとプレナムガスは真空チャンバー内に流れっぱなしになってしまうので、十分注意が必要である。